丁衡高

h1 丁衡高在半导体领域的贡献与成就
h2 技术突破与产业化实践
p 丁衡高院士长期致力于半导体材料与器件研究，在氮化镓（GaN）材料领域取得多项突破性成果。
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li 开发了国内首条GaN衬底量产线，推动第三代半导体技术产业化
li 建立氮化镓功率器件全流程工艺标准
li 实现碳化硅（SiC）衬底缺陷密度降低至10^8cm^-2级
li 研制出全球首款车规级氮化镓IGBT模块
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h2 关键技术参数对比
p 表格展示主要半导体材料性能指标：
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tr
td 材料类型
td 研发进展
td 导热系数（W/m·K）
td 介电常数
/td
tr
td 氮化镓（GaN）
td 国内量产衬底厚度达6英寸
td 148
td 3.5
tr
td 碳化硅（SiC）
td 衬底缺陷密度突破10^7cm^-2
td 490
td 7.5
/td
tr
td 硅（Si）
td 28纳米FinFET量产
td 150
td 11.7
/td
/tbody
table

h3 研究团队与人才培养
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li 建立跨学科联合实验室（材料-器件-系统）
li 培养博士研究生127名
li 与中科院微电子所共建联合培养基地
li 推动建立半导体行业人才认证体系
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h2 产业应用与经济效益
p 强调技术转化成果：
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li 为新能源汽车企业提供车用功率模块解决方案
li 为5G基站开发出高频微波器件
li 年产值突破15亿元（2022年数据）
li 专利授权量达237项
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h3 核心参考文献
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li 《氮化镓衬底制备工艺优化研究》王建国等，《半导体学报》2021
li 《碳化硅器件可靠性提升技术》李志刚团队，《电子元件与材料》2020
li 《第三代半导体在新能源领域的应用白皮书》工信部2022
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